Продукція > SANAN SEMICONDUCTOR > SDS120J010D3-ISARH
SDS120J010D3-ISARH

SDS120J010D3-ISARH Sanan Semiconductor


Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+427.69 грн
10+276.24 грн
100+179.46 грн
500+150.13 грн
1000+139.66 грн
2500+129.88 грн
5000+126.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS120J010D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-252-2L, Current - Average Rectified (Io): 37A, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SDS120J010D3-ISARH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SDS120J010D3-ISARH Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 37A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010D3-ISARH Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 37A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010D3-ISARH
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 37A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010D3-ISARH
Виробник: Luminus Devices Inc.
Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Average Rectified (Io): 37A
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.