SDS120J010D3-ISARH

SDS120J010D3-ISARH Sanan Semiconductor


SDS120J010D3_ISARH-3440208.pdf Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A, TO252-2L, Industrial Grade
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.03 грн
10+303.84 грн
100+219.44 грн
250+212.83 грн
500+192.28 грн
1000+165.86 грн
2500+157.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS120J010D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 37A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV.

Інші пропозиції SDS120J010D3-ISARH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SDS120J010D3-ISARH Виробник : Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010D3-ISARH Виробник : Luminus Devices Inc. Description: DIODE 1200V-10A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.