SDS120J015C3-ISATH Sanan Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.16 грн |
| 10+ | 451.43 грн |
| 100+ | 317.81 грн |
| 250+ | 299.69 грн |
| 500+ | 282.33 грн |
| 1000+ | 241.57 грн |
| 2500+ | 227.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS120J015C3-ISATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 1200V-15A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1182pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 51A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1.2 kV.
Інші пропозиції SDS120J015C3-ISATH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SDS120J015C3-ISATH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
 Description: DIODE 1200V-15A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1182pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1.2 kV |
товару немає в наявності |