SDT04S60
Код товару: 53317
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDT04S60
- DIODE, SCHOTTKY, SIC, 600V
- Diode Type:Schottky
- Voltage Vrrm:600V
- Av Current If:4A
- Max Voltage Vf:2V
- Max Current Ifs:12.5A
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Diode Case Style:TO-220
- No. of Pins:2
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:DO-220
- Case Style:TO-220
- Current Ifsm:12.5A
- Forward Voltage:1.7V
- Max Junction Temperature Tj:175`C
- Termination Type:Through Hole
Інші пропозиції SDT04S60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SDT04S60 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SDT04S60 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SDT04S60 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Diode 600V 4A |
товару немає в наявності |