
SE100PWJ-M3/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 39.04 грн |
10+ | 34.52 грн |
100+ | 23.04 грн |
500+ | 22.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE100PWJ-M3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 10 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V, Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V.
Інші пропозиції SE100PWJ-M3/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SE100PWJ-M3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SE100PWJ-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V |
товару немає в наявності |