Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SE10FJHM3/I
SE10FJHM3/I

SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

se10fd-se10fg-se10fj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.04 грн
30000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SE10FJHM3/I за ціною від 6.06 грн до 31.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SE10FJHM3/I SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10fd-se10fg-se10fj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 30415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.70 грн
14+21.59 грн
100+10.88 грн
500+9.05 грн
1000+7.04 грн
2000+6.30 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE10FJHM3/I SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor se10fd-se10fg-se10fj.pdf Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
на замовлення 37614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SE10FJHM3/I se10fd-se10fg-se10fj.pdf
SE10FJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 30415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.70 грн
14+21.59 грн
100+10.88 грн
500+9.05 грн
1000+7.04 грн
2000+6.30 грн
5000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE10FJHM3/I se10fd-se10fg-se10fj.pdf
SE10FJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
на замовлення 37614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.