SE10FJHM3/I

SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


se10fd-se10fg-se10fj.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.20 грн
30000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE10FJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SE10FJHM3/I за ціною від 4.77 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SE10FJHM3/I SE10FJHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor se10fd-se10fg-se10fj.pdf Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
на замовлення 37614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.89 грн
20+17.47 грн
100+7.93 грн
1000+6.61 грн
2500+6.16 грн
10000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SE10FJHM3/I SE10FJHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10fd-se10fg-se10fj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
14+22.17 грн
100+11.17 грн
500+9.29 грн
1000+7.23 грн
2000+6.47 грн
5000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.