Технічний опис SE12DB-M3/I Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC.
Інші пропозиції SE12DB-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SE12DB-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SE12DB-M3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 12A, 120V, ESD PROTECTION, SMPD |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SE12DB-M3/I |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SE12DB-M3/I |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 12A, 120V, ESD PROTECTION, SMPD
Rectifiers 12A, 120V, ESD PROTECTION, SMPD
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



