SE30AFB-M3/6A Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.02 грн |
| 17+ | 19.75 грн |
| 100+ | 13.63 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| 3500+ | 6.88 грн |
| 7000+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE30AFB-M3/6A Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA), Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SE30AFB-M3/6A за ціною від 8.76 грн до 45.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SE30AFB-M3/6A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SE30AFB-M3/6A | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3 Amp 100 Volts ESD PROTECTION |
на замовлення 17164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SE30AFB-M3/6A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221ACCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Current - Average Rectified (Io): 1.4A Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |

