SE30AFD-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE30AFD-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-221AC, Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: SE30A, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SE30AFD-M3/6A за ціною від 9.18 грн до 31.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SE30AFD-M3/6A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Current - Average Rectified (Io): 1.4A Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SE30AFD-M3/6A | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION |
на замовлення 29978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SE30AFD-M3/6A | VISHAY |
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221AC Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SE30A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SE30AFD-M3/6A |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.56 грн |
| 16+ | 19.27 грн |
| 100+ | 15.29 грн |
| 500+ | 10.92 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| SE30AFD-M3/6A |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION
Rectifiers 3 Amp 200 Volts ESD PROTECTION
на замовлення 29978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SE30AFD-M3/6A |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SE30A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SE30AFD-M3/6A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-221AC
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SE30A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)