SE30AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14000+ | 7.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
14000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE30AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SE30AFJ-M3/6B за ціною від 7.50 грн до 43.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SE30AFJ-M3/6B | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA |
на замовлення 699 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SE30AFJ-M3/6B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SE30AFJ-M3/6B | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA |
на замовлення 13900 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SE30AFJ-M3/6B |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
на замовлення 699 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.42 грн |
| 12+ | 27.41 грн |
| 100+ | 14.03 грн |
| 500+ | 12.99 грн |
| 1000+ | 8.54 грн |
| 2500+ | 8.09 грн |
| 14000+ | 7.50 грн |
| SE30AFJ-M3/6B |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.85 грн |
| 12+ | 25.79 грн |
| 100+ | 16.44 грн |
| 500+ | 11.63 грн |
| 1000+ | 10.41 грн |
| 2000+ | 9.38 грн |
| 5000+ | 8.13 грн |
| SE30AFJ-M3/6B |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
Rectifiers 3.0A, 600V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)



