SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.07 грн |
| 10+ | 112.85 грн |
| 100+ | 80.78 грн |
| 500+ | 62.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: SMPD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SE30DT12-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SE30DT12-M3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 30A,1200V ESD PROTECTION, SMPD |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SE30DT12-M3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 30A,1200V ESD PROTECTION, SMPD
Rectifiers 30A,1200V ESD PROTECTION, SMPD
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)