Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SE30DT12-M3/I
SE30DT12-M3/I

SE30DT12-M3/I Vishay Semiconductors

se30dt12.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 30A,1200V ESD PROTECTION, SMPD
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.13 грн
10+118.67 грн
100+73.91 грн
500+60.87 грн
2000+60.80 грн
4000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE30DT12-M3/I Vishay Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: SMPD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції SE30DT12-M3/I за ціною від 61.83 грн до 170.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.21 грн
10+111.64 грн
100+79.91 грн
500+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.