SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


se30nd_se30ng_se30nj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - SE30NJ-M3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 1.5 µs, 3 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN3820A, Durchlassstoßstrom: 3A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.5µs, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SE30NJ-M3/I за ціною від 8.07 грн до 34.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SE30NJ-M3/I SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30nd_se30ng_se30nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
12+26.21 грн
100+15.73 грн
500+13.67 грн
1000+9.30 грн
2000+8.56 грн
5000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30NJ-M3/I SE30NJ-M3/I Vishay Semiconductors se30nd_se30ng_se30nj.pdf Rectifiers RECT 600V 3A SM STD RCOVR
на замовлення 13705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SE30NJ-M3/I SE30NJ-M3/I VISHAY se30nd_se30ng_se30nj.pdf Description: VISHAY - SE30NJ-M3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 1.5 µs, 3 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 3A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.5µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30NJ-M3/I se30nd_se30ng_se30nj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.81 грн
12+26.21 грн
100+15.73 грн
500+13.67 грн
1000+9.30 грн
2000+8.56 грн
5000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SE30NJ-M3/I se30nd_se30ng_se30nj.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers RECT 600V 3A SM STD RCOVR
на замовлення 13705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SE30NJ-M3/I se30nd_se30ng_se30nj.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SE30NJ-M3/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 1.5 µs, 3 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN3820A
Durchlassstoßstrom: 3A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.5µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.