SE30PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.42 грн |
| 17+ | 19.32 грн |
| 100+ | 13.05 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
| 2000+ | 7.82 грн |
| 5000+ | 6.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE30PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SE30PABHM3/I за ціною від 7.60 грн до 33.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SE30PABHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3A, 100V, ESD PROTECTION, SMPA |
на замовлення 8028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SE30PABHM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3A, 100V, ESD PROTECTION, SMPA |
на замовлення 13690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SE30PABHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |