SE30PAJHM3/I

SE30PAJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


se30pab.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
17+18.70 грн
100+12.63 грн
500+9.20 грн
1000+8.32 грн
2000+7.57 грн
5000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE30PAJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SE30PAJHM3/I за ціною від 7.21 грн до 33.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SE30PAJHM3/I SE30PAJHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor se30pab.pdf Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
на замовлення 19703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
16+21.74 грн
100+10.96 грн
1000+8.09 грн
2500+7.72 грн
14000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SE30PAJHM3/I SE30PAJHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30pab.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-221BC (SMPA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.16 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.