SEG10FG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.06 грн |
| 18+ | 17.68 грн |
| 50+ | 12.74 грн |
| 100+ | 10.45 грн |
| 500+ | 7.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEG10FG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SEG10FG-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SEG10FG-M3/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECT 400V 1A SM STD RCOVR |
на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SEG10FG-M3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers RECT 400V 1A SM STD RCOVR
Rectifiers RECT 400V 1A SM STD RCOVR
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)