
SEG10FGHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.64 грн |
6000+ | 5.19 грн |
9000+ | 4.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEG10FGHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SEG10FGHM3/H за ціною від 3.74 грн до 34.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SEG10FGHM3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SEG10FGHM3/H | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|