Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SEG10FGHM3/I
SEG10FGHM3/I

SEG10FGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

seg10fg.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
15+21.10 грн
100+10.67 грн
500+8.17 грн
1000+6.06 грн
2000+5.10 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEG10FGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SEG10FGHM3/I за ціною від 4.18 грн до 34.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SEG10FGHM3/I SEG10FGHM3/I Виробник : Vishay Semiconductors seg10fg.pdf Rectifiers 1A,400V STD SMF RECTIFIER
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.25 грн
15+23.29 грн
100+10.27 грн
1000+6.24 грн
2500+5.28 грн
10000+4.33 грн
30000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SEG10FGHM3/I SEG10FGHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division seg10fg.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 700 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.