Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX302GB126HDS
- IGBT MODULE, 2X1200V
- Transistor Type:Dual Trench IGBT
- Max Current Ic Continuous a:300A
- Max Voltage Vce Sat:2.15V
- Case Style:SEMiX 2s
- Av Current Ic:300A
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2V
- Max Current Ifs:1300A
- Pulsed Current Icm:400A
- Rise Time:100ns
- Voltage Vrrm:1200V
Інші пропозиції SEMIX302GB126HDS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX302GB126HDS | Виробник : SEMIKRON | 311A/1200V/IGBT/2U |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |