Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX452GB126HDS
- IGBT MODULE, 2X1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:470A
- Max Voltage Vce Sat:2.15V
- Case Style:SEMiX 2s
- Termination Type:Screw
- Av Current Ic:470A
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2V
- Max Current Ifs:1900A
- Pulsed Current Icm:600A
- Rise Time:100ns
- Voltage Vrrm:1200V
Інші пропозиції SEMIX452GB126HDS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX452GB126HDS | Виробник : SEMIKRON | 455A/1200V/IGBT/2U |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |