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Інші пропозиції SEMIX453GB12E4S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SEMIX453GB12E4S | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stud Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SEMiX 3s Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 683A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dual productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 683A Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SEMIX453GB12E4S |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 683A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 683A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)