SEMIX453GB12E4S SEMIKRON
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 683A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 683A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33517.04 грн |
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Технічний опис SEMIX453GB12E4S SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stud, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SEMiX 3s, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 683A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dual, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 683A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SEMIX453GB12E4S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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SEMIX453GB12E4S Код товару: 154880
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Транзистори > IGBT |
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SEMIX453GB12E4S | Виробник : Semikron |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 683A 7-Pin Case GB |
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