SEMIX603GB12E4SICP 27895300 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 600A
Case: SEMiX® 3p
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 34377.49 грн |
| 3+ | 28722.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX603GB12E4SICP 27895300 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge; thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 600A, Case: SEMiX® 3p, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 1.2kA, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції SEMIX603GB12E4SICP 27895300
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX603GB12E4SICP | Semikron | SEMiX 3p (150x62x17), VCE in=1200V, ICnom in=600A Силові IGBT-модулі |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SEMIX603GB12E4SICP |
Виробник: Semikron
SEMiX 3p (150x62x17), VCE in=1200V, ICnom in=600A Силові IGBT-модулі
SEMiX 3p (150x62x17), VCE in=1200V, ICnom in=600A Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.