Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMiX703GB126HDs
- IGBT MODULE, 2X1200V
- Transistor Type:Dual Trench IGBT
- Max Voltage Vce Sat:2.15V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1.2V
- Av Current Ic:700A
- Case Style:SEMiX 3s
- Max Current Ic Continuous a:700A
- Max Current Ifs:2900A
- Pulsed Current Icm:900A
- Rise Time:60ns
- Voltage Vrrm:1200V
Інші пропозиції SEMiX703GB126HDs
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX703GB126HDS | SEMIKRON |
642A/1200V/IGBT/2U |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SEMIX703GB126HDS | ![]() |
Виробник: SEMIKRON
642A/1200V/IGBT/2U
642A/1200V/IGBT/2U
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


