SF1004G
Виробник: на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SF1004G
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції SF1004G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SF1004G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SF1004G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 10A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |