SF2008PTH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.55 грн |
| 50+ | 82.92 грн |
| 100+ | 75.38 грн |
| 500+ | 58.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SF2008PTH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SF2008PTH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SF2008PTH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
SF2008PTH-TSC THT universal diodes |
товару немає в наявності |