SFT1443-H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 9A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 20 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 784+ | 28.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SFT1443-H onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19W (Tc), Supplier Device Package: IPAK/TP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SFT1443-H за ціною від 40.60 грн до 40.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFT1443-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SFT1443-H - SFT1443-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
SFT1443-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19W (Tc) Supplier Device Package: IPAK/TP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |