
SFT1452-TL-W onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
820+ | 26.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SFT1452-TL-W onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK/TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK/TP-FA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SFT1452-TL-W
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SFT1452-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SFT1452-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
SFT1452-TL-W | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK/TP-FA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |