SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 260ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 85.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns, Switching Energy: 220µJ, Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V, Gate Charge: 11 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A, Power - Max: 62 W.
Інші пропозиції SGB02N120ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SGB02N120ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns Switching Energy: 220µJ Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Gate Charge: 11 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A Power - Max: 62 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SGB02N120ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| SGB02N120ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SGB02N120ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns
Switching Energy: 220µJ
Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
Gate Charge: 11 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A
Power - Max: 62 W
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns
Switching Energy: 220µJ
Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
Gate Charge: 11 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SGB02N120ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SGB02N120ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.