Технічний опис SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 27A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/209ns, Switching Energy: 530µJ, Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 27 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 138 W.
Інші пропозиції SGB15N60HSATMA1 за ціною від 129.65 грн до 155.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGB15N60HSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 138000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SGB15N60HSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 138000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 138000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 155.58 грн |
| 500+ | 140.26 грн |
| 1000+ | 129.65 грн |



