Технічний опис SGB30N60 INFINEON
Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns, Switching Energy: 1.29mJ, Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції SGB30N60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
SGB30N60 Код товару: 125330
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
 |
SGB30N60 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SGB30N60 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns Switching Energy: 1.29mJ Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |
|
 |
SGB30N60 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 30A |
товару немає в наявності |