SGB30N60ATMA1

SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies


SGB30N60.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 41A 250W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns
Switching Energy: 1.29mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 41A 250W TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns, Switching Energy: 1.29mJ, Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції SGB30N60ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGB30N60ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SGB30N60.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.