SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 185.94 грн |
| 5000+ | 169.56 грн |
| 10000+ | 158.86 грн |
| 15000+ | 143.86 грн |
| 25000+ | 123.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 1200V 6.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/260ns, Switching Energy: 220µJ, Test Condition: 800V, 2A, 91Ohm, 15V, Gate Charge: 11 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 6.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 9.6 A, Power - Max: 62 W.
Інші пропозиції SGD02N120BUMA1 за ціною від 125.33 грн до 188.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SGD02N120BUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SGD02N120BUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 188.17 грн |
| 5000+ | 171.60 грн |
| 10000+ | 160.76 грн |
| 15000+ | 145.59 грн |
| 25000+ | 125.33 грн |