SGF80N60UFTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 110 W
Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 26706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 341.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGF80N60UFTU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - SGF80N60UFTU - IGBT, 80 A, 2.6 V, 110 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UF Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SGF80N60UFTU за ціною від 346.5 грн до 346.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGF80N60UFTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGF80N60UFTU - IGBT, 80 A, 2.6 V, 110 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UF Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
SGF80N60UFTU |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
SGF80N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товар відсутній |
||||||
SGF80N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors Discrete Hi-P IGBT |
товар відсутній |