SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild
Description: IGBT 600V 48A 235W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/54ns, Switching Energy: 919µJ (on), 814µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 235 W.
Інші пропозиції SGH30N60RUFDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SGH30N60RUFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
SGH30N60RUFDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 48A 235W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 30ns/54ns Switching Energy: 919µJ (on), 814µJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 235 W |
товару немає в наявності |