Технічний опис SGH80N60UFTU
Description: IGBT 600V 80A 195W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns, Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 175 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 195 W.
Інші пропозиції SGH80N60UFTU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SGH80N60UFTU Код товару: 36176 |
Виробник : FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-3P Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 195 W |
товар відсутній
|
||
SGH80N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 195000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товар відсутній |
||
SGH80N60UFTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 80A 195W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 175 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 195 W |
товар відсутній |
||
SGH80N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors Dis High Perf IGBT |
товар відсутній |