Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SGL160N60UFDTU
SGL160N60UFDTU

SGL160N60UFDTU ON Semiconductor

sgl160n60ufd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+672.19 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGL160N60UFDTU ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 160A 250W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-264-3, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/90ns, Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off), Test Condition: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V, Gate Charge: 345 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції SGL160N60UFDTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU
Код товару: 46014 		sgl160n60ufd-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor sgl160n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor sgl160n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Виробник : onsemi sgl160n60ufd-d.pdf Description: IGBT 600V 160A 250W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-264-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/90ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Виробник : onsemi / Fairchild SGL160N60UFD_D-2320214.pdf IGBT Transistors Dis High Perf IGBT
товар відсутній