SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/440ns, Switching Energy: 1mJ, Test Condition: 800V, 8A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 16.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції SGP07N120XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SGP07N120XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SGP07N120XKSA1 - IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 125 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16.5 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
|
 |
SGP07N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
SGP07N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16.5A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
SGP07N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 27ns/440ns Switching Energy: 1mJ Test Condition: 800V, 8A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 16.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
|
| SGP07N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |