SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 287.93 грн |
| 150+ | 240.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGBT NPT 1200V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/580ns, Switching Energy: 1.9mJ, Test Condition: 800V, 15A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 130 nC, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A, Power - Max: 198 W.
Інші пропозиції SGP15N120XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 |
на замовлення 293 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
|
SGP15N120XKSA1 Код товару: 195669
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
|
|
SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
|
SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 1200V 30A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/580ns Switching Energy: 1.9mJ Test Condition: 800V, 15A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 198 W |
товару немає в наявності |
|
| SGP15N120XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товару немає в наявності |

