Технічний опис SGT070R70HTO STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 8.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-LL, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Інші пропозиції SGT070R70HTO за ціною від 317.46 грн до 682.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SGT070R70HTO | STMicroelectronics |
Description: GANFET N-CH 700V 20A TOLL HV |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SGT070R70HTO | STMicroelectronics |
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SGT070R70HTO | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 8.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SGT070R70HTO | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SGT070R70HTO |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: GANFET N-CH 700V 20A TOLL HV
Description: GANFET N-CH 700V 20A TOLL HV
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 682.70 грн |
| 10+ | 450.61 грн |
| 50+ | 362.21 грн |
| 100+ | 317.46 грн |
| SGT070R70HTO |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SGT070R70HTO |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 8.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT070R70HTO |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - SGT070R70HTO - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






