Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

SGT080R70ILB STMicroelectronics

sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.24 грн
10+303.88 грн
100+219.91 грн
500+193.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT080R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції SGT080R70ILB за ціною від 241.76 грн до 242.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS 4600676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS 4600676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+242.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB 4600676.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB 4600676.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+242.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.