Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

SGT080R70ILB STMicroelectronics

sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: GANFET N-CH 700V 29A PWRFLAT HV
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.46 грн
10+303.20 грн
50+239.77 грн
100+205.88 грн
500+192.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT080R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції SGT080R70ILB за ціною від 242.19 грн до 244.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS 4600676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB SGT080R70ILB STMICROELECTRONICS 4600676.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+242.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB STMicroelectronics sgt080r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB 4600676.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB 4600676.pdf
SGT080R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT080R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 29 A, 0.08 ohm, 6.2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+242.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT080R70ILB sgt080r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 29A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.