SGT105R70ILB STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.68 грн |
| 10+ | 261.55 грн |
| 50+ | 205.58 грн |
| 100+ | 176.03 грн |
| 500+ | 159.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT105R70ILB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Інші пропозиції SGT105R70ILB за ціною від 200.18 грн до 200.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SGT105R70ILB | STMicroelectronics |
 GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
SGT105R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SGT105R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SGT105R70ILB | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SGT105R70ILB |
|
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SGT105R70ILB |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT105R70ILB |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT105R70ILB |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 21.7A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 200.18 грн |