Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT105R70ILB

SGT105R70ILB STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SGT105R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції SGT105R70ILB

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SGT105R70ILB	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm	на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SGT105R70ILB	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SGT105R70ILB

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SGT105R70ILB

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT105R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.