Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT120R65AL

SGT120R65AL STMicroelectronics

Name: SGT120R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 12361902-4
Price: 459.71 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	459.71 грн
10+	316.28 грн
100+	198.11 грн
250+	193.03 грн
500+	166.18 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SGT120R65AL STMicroelectronics

Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SGT120R65AL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 8-Pin Power Flat EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 8-Pin Power Flat EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 15A 8-Pin Power Flat EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 192W кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 192W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.