SGT120R65AL STM

Name: SGT120R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 12361902-4
Price: 435.68 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: STM
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SGT120R65AL STM

Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV.

Інші пропозиції SGT120R65AL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +6V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Description: 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 5A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +6V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 12mA Power Dissipation (Max): 192W (Tc)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	GaN FETs 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SGT120R65AL	Виробник : STMicroelectronics	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Power dissipation: 192W	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.