SGT140R70ILB STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 329.91 грн |
| 10+ | 209.89 грн |
| 50+ | 163.50 грн |
| 100+ | 139.40 грн |
| 500+ | 120.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT140R70ILB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.
Інші пропозиції SGT140R70ILB за ціною від 149.94 грн до 149.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SGT140R70ILB | STMicroelectronics |
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SGT140R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.5nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
SGT140R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SGT140R70ILB | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SGT140R70ILB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SGT140R70ILB |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT140R70ILB |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - SGT140R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 17 A, 0.14 ohm, 3.5 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT140R70ILB |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 17A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 149.94 грн |





