Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

SGT190R70ILB STMicroelectronics

sgt190r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: 700 V, 138 MOHM TYP., 11.5 A, E-
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.49 грн
10+175.99 грн
50+136.13 грн
100+115.70 грн
500+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT190R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції SGT190R70ILB за ціною від 119.83 грн до 119.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMicroelectronics sgt190r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS 4600679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS 4600679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB STMicroelectronics sgt190r70ilb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB sgt190r70ilb.pdf
SGT190R70ILB
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB 4600679.pdf
SGT190R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB 4600679.pdf
SGT190R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB sgt190r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 11.5A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+119.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.