Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

SGT190R70ILB STMicroelectronics


Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT190R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції SGT190R70ILB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS 4600679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB SGT190R70ILB STMICROELECTRONICS 4600679.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB 4600679.pdf
SGT190R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT190R70ILB 4600679.pdf
SGT190R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT190R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11.5 A, 0.19 ohm, 2.8 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.