SGT1D5R10MEA STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 474A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 19nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT1D5R10MEA STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 474A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 19nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Інші пропозиції SGT1D5R10MEA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SGT1D5R10MEA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SGT1D5R10MEA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SGT1D5R10MEA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SGT1D5R10MEA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 474A 8-Pin En-FCLGA EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



