SGT1D5R10MEA STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.45 грн |
| 10+ | 348.33 грн |
| 3000+ | 302.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT1D5R10MEA STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 474A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 19nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Інші пропозиції SGT1D5R10MEA за ціною від 224.64 грн до 506.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SGT1D5R10MEA | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 474A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 19nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: En-FCLGA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| SGT1D5R10MEA | STMicroelectronics |
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SGT1D5R10MEA |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 474A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 19nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT1D5R10MEA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 474 A, 1500 µohm, 19 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 474A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 19nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT1D5R10MEA |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
Description: 100 V, 1.1 MOHM TYP., 474 A, E-M
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 506.60 грн |
| 10+ | 329.35 грн |
| 50+ | 261.26 грн |
| 100+ | 224.64 грн |