SGT240R70ILB STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.04 грн |
| 10+ | 161.28 грн |
| 50+ | 124.47 грн |
| 100+ | 105.68 грн |
| 500+ | 86.20 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT240R70ILB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції SGT240R70ILB за ціною від 68.89 грн до 262.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SGT240R70ILB | STMicroelectronics |
 GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor |
на замовлення 970 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SGT240R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SGT240R70ILB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SGT240R70ILB |
|
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.44 грн |
| 10+ | 129.77 грн |
| 100+ | 102.45 грн |
| 500+ | 83.15 грн |
| 1000+ | 81.66 грн |
| 3000+ | 68.89 грн |
| SGT240R70ILB |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGT240R70ILB |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)