Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT240R70ILB
SGT240R70ILB

SGT240R70ILB STMicroelectronics

sgt240r70ilb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: 700 V, 165 MOHM TYP., 10 A, E-MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.59 грн
10+163.42 грн
100+114.10 грн
500+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT240R70ILB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Інші пропозиції SGT240R70ILB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT240R70ILB SGT240R70ILB STMicroelectronics sgt240r70ilb.pdf GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILB SGT240R70ILB STMICROELECTRONICS 4600680.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILB SGT240R70ILB STMICROELECTRONICS 4600680.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILB sgt240r70ilb.pdf
SGT240R70ILB
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILB 4600680.pdf
SGT240R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT240R70ILB 4600680.pdf
SGT240R70ILB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT240R70ILB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.24 ohm, 2 nC, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.