Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

SGT350R70GTK STMicroelectronics

sgt350r70gtk.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.98 грн
10+115.44 грн
100+79.15 грн
500+59.71 грн
1000+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT350R70GTK STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.

Інші пропозиції SGT350R70GTK

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT350R70GTK SGT350R70GTK STMicroelectronics sgt350r70gtk.pdf GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTK SGT350R70GTK STMICROELECTRONICS 4600681.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTK SGT350R70GTK STMICROELECTRONICS 4600681.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTK sgt350r70gtk.pdf
SGT350R70GTK
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTK 4600681.pdf
SGT350R70GTK
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT350R70GTK 4600681.pdf
SGT350R70GTK
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT350R70GTK - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 6 A, 0.35 ohm, 1.5 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.