SGT65R65AL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsRF MOSFET Transistors 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 616.88 грн |
| 10+ | 521.53 грн |
| 25+ | 411.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGT65R65AL STMicroelectronics
Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaN HEMT, FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V, Current Rating (Amps): 25A, Configuration: N-Channel, Power - Output: 5W, Voltage - Rated: 650 V, Voltage - Test: 400 V.
Інші пропозиції SGT65R65AL за ціною від 568.37 грн до 568.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT65R65AL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V Current Rating (Amps): 25A Configuration: N-Channel Power - Output: 5W Voltage - Rated: 650 V Voltage - Test: 400 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| SGT65R65AL | Виробник : STMicroelectronics NV |
RF MOSFET Transistors 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||
| SGT65R65AL | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товар відсутній |
||||||
| SGT65R65AL | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R |
товар відсутній |
||||||
| SGT65R65AL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaN HEMT FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +6V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V Current Rating (Amps): 25A Configuration: N-Channel Power - Output: 5W Voltage - Rated: 650 V Voltage - Test: 400 V |
товар відсутній |