Продукція > STM > SGT65R65AL

SGT65R65AL STM

sgt65r65al.pdf
Виробник: STM
RF MOSFET Transistors 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT65R65AL STM

Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Current Rating (Amps): 25A, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Output: 5W, Technology: GaN HEMT, FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Voltage - Rated: 650 V, Voltage - Test: 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V.

Інші пропозиції SGT65R65AL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT65R65AL SGT65R65AL STMicroelectronics sgt65r65al.pdf Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Current Rating (Amps): 25A
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Output: 5W
Technology: GaN HEMT
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Voltage - Rated: 650 V
Voltage - Test: 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL SGT65R65AL STMicroelectronics sgt65r65al.pdf Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Current Rating (Amps): 25A
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Output: 5W
Technology: GaN HEMT
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Voltage - Rated: 650 V
Voltage - Test: 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL SGT65R65AL STMicroelectronics sgt65r65al.pdf GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL STMicroelectronics en.dm00685965.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL sgt65r65al.pdf
SGT65R65AL
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Current Rating (Amps): 25A
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Output: 5W
Technology: GaN HEMT
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Voltage - Rated: 650 V
Voltage - Test: 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL sgt65r65al.pdf
SGT65R65AL
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Current Rating (Amps): 25A
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Output: 5W
Technology: GaN HEMT
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 6V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Voltage - Rated: 650 V
Voltage - Test: 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 286 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL sgt65r65al.pdf
SGT65R65AL
Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGT65R65AL en.dm00685965.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 25A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.