SH32N65DM6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1274.99 грн |
| 10+ | 1039.40 грн |
| 100+ | 899.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH32N65DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.089 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.089ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 208W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SH32N65DM6AG за ціною від 932.06 грн до 1630.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH32N65DM6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.089 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.089ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH32N65DM6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.089 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.089ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SH32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
SH32N65DM6AG |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SH32N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Part Status: Active |
товару немає в наявності |