Технічний опис SH32N65DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 208W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SH32N65DM6AG за ціною від 792.23 грн до 1306.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH32N65DM6AG | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Part Status: Active |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SH32N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SH32N65DM6AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SH32N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SH32N65DM6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1306.84 грн |
| 10+ | 896.19 грн |
| 100+ | 792.23 грн |
| SH32N65DM6AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SH32N65DM6AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SH32N65DM6AG |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)