Продукція > STMICROELECTRONICS > SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

sh63n65dm6ag.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 424W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH63N65DM6AG за ціною від 1525.04 грн до 2347.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS sh63n65dm6ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1900.43 грн
10+1626.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG STMicroelectronics en.dm00991842.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2347.30 грн
10+1834.56 грн
200+1525.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG STMicroelectronics en.dm00991842.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2347.30 грн
10+1834.56 грн
200+1525.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG sh63n65dm6ag.pdf
SH63N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG sh63n65dm6ag.pdf
SH63N65DM6AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG sh63n65dm6ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1900.43 грн
10+1626.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG en.dm00991842.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2347.30 грн
10+1834.56 грн
200+1525.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH63N65DM6AG en.dm00991842.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2347.30 грн
10+1834.56 грн
200+1525.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.