SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1372.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 424W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SH63N65DM6AG за ціною від 1157.86 грн до 2216.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SH63N65DM6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 424W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SH63N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| SH63N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 424W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SH63N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SH63N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SH63N65DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 424W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT |
товару немає в наявності |