Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8J62TB1
SH8J62TB1

SH8J62TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8J62TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8J62TB1 за ціною від 26.60 грн до 139.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+37.35 грн
347+35.18 грн
355+34.35 грн
500+32.13 грн
1000+29.47 грн
2500+26.69 грн
5000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : ROHM datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.38 грн
500+43.19 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.68 грн
250+60.16 грн
500+57.99 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.68 грн
250+60.16 грн
500+57.99 грн
1000+54.09 грн
2500+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.68 грн
250+60.16 грн
500+57.99 грн
1000+54.09 грн
2500+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : ROHM datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.09 грн
11+81.75 грн
100+57.38 грн
500+43.19 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+81.61 грн
100+49.83 грн
500+40.44 грн
1000+37.36 грн
2500+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
10+85.09 грн
100+55.81 грн
500+41.60 грн
1000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.