Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8J62TB1
SH8J62TB1

SH8J62TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8J62TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8J62TB1 за ціною від 31.12 грн до 150.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.69 грн
347+41.15 грн
355+40.18 грн
500+37.58 грн
1000+34.47 грн
2500+31.23 грн
5000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
2500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Rohm Semiconductor sh8j62.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
2500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.75 грн
10+82.67 грн
100+54.22 грн
500+40.42 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+150.17 грн
10+71.07 грн
100+54.78 грн
500+43.81 грн
1000+41.98 грн
2500+36.13 грн
5000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 ROHM datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 SH8J62TB1 ROHM datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 sh8j62.pdf
SH8J62TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
326+43.69 грн
347+41.15 грн
355+40.18 грн
500+37.58 грн
1000+34.47 грн
2500+31.23 грн
5000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 sh8j62.pdf
SH8J62TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 sh8j62.pdf
SH8J62TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
2500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 sh8j62.pdf
SH8J62TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+73.32 грн
250+70.37 грн
500+67.83 грн
1000+63.27 грн
2500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J62TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.75 грн
10+82.67 грн
100+54.22 грн
500+40.42 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J62TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.17 грн
10+71.07 грн
100+54.78 грн
500+43.81 грн
1000+41.98 грн
2500+36.13 грн
5000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J62TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1 datasheet?p=SH8J62&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J62TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.