SH8J65TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8J65TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8J65TB1 за ціною від 51.49 грн до 197.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor sh8j65.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+86.65 грн
182+80.46 грн
192+75.99 грн
203+69.33 грн
500+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor sh8j65.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+96.23 грн
159+91.93 грн
250+88.25 грн
500+82.02 грн
1000+73.47 грн
2500+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor sh8j65.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+96.23 грн
159+91.93 грн
250+88.25 грн
500+82.02 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+102.17 грн
100+81.33 грн
500+64.58 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+197.92 грн
10+95.42 грн
100+72.60 грн
500+59.71 грн
1000+57.34 грн
2500+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 sh8j65.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
169+86.65 грн
182+80.46 грн
192+75.99 грн
203+69.33 грн
500+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 sh8j65.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+96.23 грн
159+91.93 грн
250+88.25 грн
500+82.02 грн
1000+73.47 грн
2500+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 sh8j65.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+96.23 грн
159+91.93 грн
250+88.25 грн
500+82.02 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.14 грн
10+102.17 грн
100+81.33 грн
500+64.58 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.92 грн
10+95.42 грн
100+72.60 грн
500+59.71 грн
1000+57.34 грн
2500+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.